Gamintojo produkto numeris:
TSM2N100CP ROG
Product Overview
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalių numeris:
TSM2N100CP ROG-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventorius:
12897073
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TSM2N100CP ROG Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.85A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
625 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
77W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252 (DPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
TSM2N100
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TSM2N100CP ROGDKR-DG
TSM2N100CPROGDKR
TSM2N100CP ROGTR-DG
TSM2N100CP ROGCT-DG
TSM2N100CP ROGDKR
TSM2N100CP ROGCT
TSM2N100CPROGCT
TSM2N100CP ROGTR
TSM2N100CPROGTR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXTY1R6N100D2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXTY1R6N100D2-DG
VISO KAINA
1.54
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMPH1006UPS-13
MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8
TSM60N900CH C5G
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251
DMT6009LFG-13
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
